三星第代产品启动量产带来更大容量选择

三星第代产品启动量产带来更大容量选择

三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。三星此前已经宣布开始量产第9代V-NAND闪存，首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存，进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。第9代V-NANDQLC闪存综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破，包括：通道孔蚀刻技术（ChannelHoleEtching）-能够基于双堆栈架构实现...